КОРПУСА ДЛЯ УСТРОЙСТВ СВЯЗИ
- Упаковка Si, GaAs, GaN, мощных микросхем
- Теплоотводы с высокой теплопроводностью
- Диапазон рабочих частот — до 45ГГц (Ka)
- Диапазон мощности — до 900 Вт
- Диапазон напряжений — до 2500 В
- Покрытие — NiAu, NiPdAu
Производство деталей из BEO
КОРПУСА ДЛЯ СВЧ-УСТРОЙСТВ
- Сопротивление канала: 50 Ом
- Рабочая частота: DC 18 ГГц
- Герметизация: сварка параллельным швом / пайка / резиновое уплотнение
- Теплоотвод: Cu/WCu/MoCu/CPC/CMC
Ceramic insulator
КОРПУСА ДЛЯ СВЧ-УСТРОЙСТВ
- Сопротивление канала: не превышает 50 Ом (около 10 Ом)
- Рабочая частота: DC 6ГГц
- Герметизация: сварка параллельным
- Теплоотвод: Cu/WCu/MoCu/CPC/CMC
С керамической стенкой
КОРПУСА ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- Теплоотвод: BeO
- Основание: WCu
- Выводы: 4J34
- Диапазон частот: P, L, S
- Максимальная мощность: 200 Вт
- Стандарт: GJB923A-2004
НЕДОРОГИЕ РЕШЕНИЯ ДЛЯ УПАКОВКИ GAAS И GAN
- Рамка: LCP (пластик)
- Основа: Cu, CPC, (по запросу)
- Выводы: Cu, (по запросу)
- Клей: Эпоксидный
- Отверждение: 1 час при 180°С
- Герметичность: ≤ 1×10 ̄⁸ (Pa*m³)/s
МОЩНЫХ ЧИПОВ В ПЛАСТИКОВЫЕ КОРПУСА
Корпуса для MMIC–устройств
CQFN КОРПУСА
- Сопротивление канала: 50 Ом
- Для мощных MMIC — устройств
- Рабочая частота: DC 60 ГГц
- Герметизация: сварка параллельным швом / пайка / резиновое уплотнение
- Теплоотвод: Al2O3 / Cu / WCu / MoCu / CPC / CMC
КОРПУСА ДЛЯ МОЩНЫХ УСТРОЙСТВ
- Сопротивление канала: 50 Ом
- Для MMIC или HIC — устройств
- Рабочая частота: DC 32,5 ГГц
- Герметизация: сварка параллельным швом / пайка / резиновое уплотнение
- Теплоотвод: Al2O3/Ковар
C металлической стенкой
ТИПОВОЙ ПРОЦЕСС СБОРКИ КОРПУСОВ ДЛЯ УСТРОЙСТВ СВЯЗИ И СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Разделение стека
на элементы
на элементы
Обжиг
Никелирование
Пайка деталей
Золочение
Печать проводников
Сборка слоев в стек
Заготовка керамических пластин
Литье ленты
Пробивка
переходных отверстий
и формирование окон
переходных отверстий
и формирование окон
